Geçtiğimiz sene 14nm FinFET üretim geometrisine sahip ilk mobil işlemcileri üreten Samsung, bu sene de 10nm FinFET teknolojisine ve hacimli üretimine başlayan ilk firma oldu.

Samsung 10nm FinFET Teknolojisine Geçti

Son birkaç senedir yarı iletken ve yonga seti üretimine büyük yatırımlar yapan Samsung artık yonga seti üretiminde ilklere imza atıyor. Sektöründe ilk 10nm FinFET üretim geometrisinde hacimli üretime geçen Samsung, yeni teknolojiyi ilk olarak mobil yonga seti üretiminde kullanacak.

Verilen bilgiye göre ilk nesil Low Power Early – LPE olacak. Daha sonra ilerleyen süreçte Ar-Ge çalışmaları ve yatırımlar neticesinde ikinci nesil Low Power Plus – LPP‘ye ve üçüncü nesil olacak olan Low Power Compact – LPC‘ye geçilecek. Her nesil bir önce nesile göre performans, güç tüketimi noktasında %5-6 arasında bir artış yakalanması bekleniyor.

Samsung’un yeni ürettiği 10nm FinFET Teknolojisi, 14nm FinFET’e göre zar alanından kaynaklı %30 enerji tasarrufu sağlayabiliyor. Bu sayede az alana daha fazla elemanın sığdırılacağı gibi, yonga setinde bulunan elemanların küçülmesi ile de performans da %27, enerji verimliliğinde %40 artış yakalanacağı bildiriliyor.

10nm FinFET sürecinden ilk yararlanacak yonga setleri Exynos 8895 ve Snapdragon 830 alacak. Yonga setlerinin çekirdek yapısıyla ilgili kesin bir bilgi mevcut değil ancak 4 adet özelleştirilmiş performans oladaklı 64-bitlik çekirdek ve 4 adet enerji verimliliği yüksek Cortex-A53 çekirdek olmak üzere toplam 8 çekirdekli olacağı düşünülüyor.

YORUM YAP

Please enter your comment!
Please enter your name here